CA-IS3417WT/3417WT-Q1是一款光耦兼容的高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），与光MOS继电器相比，它具有更好的一致性、长期可靠性和老化性能。隔离副边集成了背靠背的高压SiC MOS，而SiC MOS具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以运行在更高环境温度下。

?    模拟▃光耦输入特性

?    输出背靠背设计，防止电流反々偏

?    漏源极电压高达1700V

?    超低关断静态电流 1μA Max

?    输入级最高反向耐压5.5V

?    漏源极支持50mA最大导通电流

?    导通电阻: 300 Ω (max)

?    宽工作温度范围：-40 °C ~ 125 °C

?    高CMTI：±150 kV/μs（典型）

?   基于两层PCB板，可满足CISPR32 Class-B的EMI标准（CA-IS3417WT）和CISPR25 Class-5的EMI标准（CA-IS3417WT-Q1）

?    优异的隔离性能（认证中）：

    - UL 1577 标准下，长达1 分钟的5kV_RMS 隔离耐压

   - 符合DIN V VDE V 0884-17:2017-01 标准的7070 V_PK V_IOTM 和 2121 V_PK V_IORM

?    RoHS Compliant

?    封装形式：SOIC12-WB(WT)